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数字万用表测mos好坏
什么是MOS

mos管是(shi)(shi)金属—氧(yang)化物-半导(dao)体(ti)场(chang)效应(ying)晶体(ti)管，或者(zhe)称是(shi)(shi)金属—绝缘体(ti)—半导(dao)体(ti)。MOS管的(de)(de)source和drain是(shi)(shi)可以对调(diao)的(de)(de)，他们都是(shi)(shi)在(zai)P型backgate中形成的(de)(de)N型区。在(zai)多数(shu)情况下，这(zhei)个两个区是(shi)(shi)一样的(de)(de)，即使(shi)两端对调(diao)也不会影响器件的(de)(de)性能。这(zhei)样的(de)(de)器件被认为是(shi)(shi)对称的(de)(de)。

双极(ji)型晶(jing)体管(guan)(guan)把(ba)(ba)输(shu)入端(duan)电(dian)(dian)流的(de)(de)微(wei)小变化(hua)放大后，在输(shu)出(chu)(chu)端(duan)输(shu)出(chu)(chu)一个大的(de)(de)电(dian)(dian)流变化(hua)。双极(ji)型晶(jing)体管(guan)(guan)的(de)(de)增益就定义为(wei)(wei)输(shu)出(chu)(chu)输(shu)入电(dian)(dian)流之比（beta）。另一种晶(jing)体管(guan)(guan)，叫做(zuo)场效应管(guan)(guan)（FET），把(ba)(ba)输(shu)入电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)变化(hua)转化(hua)为(wei)(wei)输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)流的(de)(de)变化(hua)。FET的(de)(de)增益等于它的(de)(de)transconductance，定义为(wei)(wei)输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)流的(de)(de)变化(hua)和输(shu)入电(dian)(dian)压(ya)变化(hua)之比。市(shi)面上(shang)常有的(de)(de)一般为(wei)(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)，以下为(wei)(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)符号。

N沟道mos管符号

P沟道mos管符号

如何快速判断其好坏及引脚功能

1）用10K档，内有(you)15伏(fu)电(dian)池(chi)。可(ke)提供导通(tong)电(dian)压。

2）因为栅极等效于电容(rong)，与任何脚不通，不论(lun)N管(guan)或(huo)P管(guan)都很容(rong)易(yi)找出栅极来，否则是坏管(guan)。

3）利(li)用表(biao)笔对栅(zha)源(yuan)间正(zheng)向(xiang)或反(fan)向(xiang)充电(dian)，可使漏源(yuan)通或断(duan)，且由于(yu)栅(zha)极上电(dian)荷能保(bao)持(chi)，上述两步(bu)可分先后，不必同步(bu)，方便。但要放电(dian)时(shi)需(xu)短路管脚或反(fan)充。

4）大都(dou)源(yuan)漏(lou)间有反并二极(ji)管，应注(zhu)意，及(ji)帮助判断。

5）大都封庄为(wei)字面对自已(yi)时，左栅中漏右(you)源。以上(shang)前三点必需掌握，后两(liang)点灵活运用，很快就能判(pan)管脚，分好坏(huai)。如果对新(xin)拿(na)到的不明MOS管，可以通(tong)过测定(ding)来判断脚(jiao)极(ji)，只有准确(que)判定(ding)脚(jiao)的排列(lie)，才能正(zheng)确(que)使用。

管脚测定方法

①栅极G的测定：用万(wan)用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三(san)脚为G。

②漏(lou)极D、源极S及类型判定(ding)：用(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)表(biao)R&TImes;10kΩ档测(ce)D、S问正反(fan)向(xiang)电阻，正向(xiang)电阻约为(wei)0.2&TImes;10kΩ，反(fan)向(xiang)电阻（5一∞）X100kΩ。在测(ce)反(fan)向(xiang)电阻时，红表(biao)笔不动，黑表(biao)笔脱离(li)引(yin)脚后，与G碰(peng)一下(xia)，然后回去再接原引(yin)脚，出现两(liang)种情况：

a．若(ruo)读数由原(yuan)来较大(da)值变为(wei)(wei)0（0&TImes;10kΩ），则红表(biao)笔(bi)所(suo)接为(wei)(wei)S，黑表(biao)笔(bi)为(wei)(wei)D。用黑表(biao)笔(bi)接触(chu)G有效，使MOS管(guan)D、S间正反向(xiang)电阻值均为(wei)(wei)0Ω，还可证明该(gai)管(guan)为(wei)(wei)N沟道。

b．若读数(shu)仍为(wei)(wei)较大值，黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)(bi)(bi)不(bu)动(dong)，改用(yong)红(hong)表(biao)笔(bi)(bi)(bi)(bi)接(jie)触G，碰一下之后立即回(hui)到(dao)原脚(jiao)，此时若读数(shu)为(wei)(wei)0Ω，则黑(hei)表(biao)笔(bi)(bi)(bi)(bi)接(jie)的是S极(ji)(ji)、红(hong)表(biao)笔(bi)(bi)(bi)(bi)为(wei)(wei)D极(ji)(ji)，用(yong)红(hong)表(biao)笔(bi)(bi)(bi)(bi)接(jie)触G极(ji)(ji)有效(xiao)，该MOS管为(wei)(wei)P沟道。

用数字万用表测MOS好坏方法

一

红左，黑中、右 无穷大

黑(hei)左(zuo)， 红中、右(you) 无穷大

红(hong)中，黑右 无穷大；

黑中红右显示(shi)530（左右）。

其实场效(xiao)应(ying)管三极管很好判断(duan)：有字面朝上从左到右依(yi)次为：G、D、S，有些管相反：S、D、G。我修显示器、主板、电(dian)源都是从上面的(de)方法测(ce)绝对没(mei)问题。你不(bu)信随便拆块(kuai)板看一看，场效(xiao)应(ying)管在电(dian)路图板的(de)布(bu)局及应(ying)VMOS大功率场效(xiao)应(ying)晶体管的(de)检测(ce)

二

1、判别各电极与管型

用万用表(biao)R×100档，测(ce)量场效应晶体(ti)管任意(yi)两引脚(jiao)之间的(de)(de)正、反向电阻值。其中一(yi)次测(ce)量中两引脚(jiao)的(de)(de)电阻值为(wei)(wei)数百(bai)欧姆，这时两表(biao)笔所接的(de)(de)引脚(jiao)为(wei)(wei)源极S和漏极D，而另一(yi)引脚(jiao)为(wei)(wei)栅极G。再(zai)用(yong)万用(yong)表R×10k档测量(liang)两引脚（漏极D与源极S）之间的正(zheng)、反(fan)向电阻值(zhi)。正(zheng)常时，正(zheng)向电阻值(zhi)为2kΩ左右，反(fan)向电阻值(zhi)大于500kΩ。在测量反向电阻(zu)值(zhi)时(shi)，红(hong)(hong)(hong)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接(jie)(jie)引(yin)脚(jiao)不动，黑(hei)(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)脱离(li)所(suo)接(jie)(jie)引(yin)脚(jiao)后，先与栅极(ji)(ji)(ji)G触碰(peng)(peng)一(yi)下，然后再去接(jie)(jie)原(yuan)(yuan)引(yin)脚(jiao)，观(guan)察(cha)万用表(biao)(biao)读数(shu)的(de)变(bian)化情况。若万用表(biao)(biao)读数(shu)由原(yuan)(yuan)来较(jiao)大阻(zu)值(zhi)变(bian)为(wei)(wei)0，则(ze)(ze)此红(hong)(hong)(hong)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接(jie)(jie)的(de)即(ji)是(shi)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)S，黑(hei)(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接(jie)(jie)为(wei)(wei)漏极(ji)(ji)(ji)D。用黑(hei)(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)触发(fa)栅极(ji)(ji)(ji)G有效(xiao)，说明该管为(wei)(wei)N沟道场效(xiao)应管。若万用表(biao)(biao)读数(shu)仍(reng)为(wei)(wei)较(jiao)大值(zhi)，则(ze)(ze)黑(hei)(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)回原(yuan)(yuan)引(yin)脚(jiao)不变(bian)，改用红(hong)(hong)(hong)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)去触碰(peng)(peng)栅极(ji)(ji)(ji)G后再接(jie)(jie)回原(yuan)(yuan)引(yin)脚(jiao)，若此时(shi)万用表(biao)(biao)读数(shu)由原(yuan)(yuan)来阻(zu)值(zhi)较(jiao)大变(bian)为(wei)(wei)0，则(ze)(ze)此时(shi)黑(hei)(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的(de)为(wei)(wei)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)S，红(hong)(hong)(hong)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)(jie)的(de)是(shi)漏极(ji)(ji)(ji)D。用表(biao)(biao)红(hong)(hong)(hong)笔(bi)(bi)触发(fa)栅极(ji)(ji)(ji)G有效(xiao)，说明该管为(wei)(wei)P沟道场效(xiao)应晶体(ti)管。

2．判别其好(hao)坏(huai)

用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两(liang)极(ji)之间的电阻值(zhi)接近0Ω，则(ze)说明该管已击穿(chuan)损坏(huai)。另(ling)外，还(hai)可以用触发栅极(ji)(ji)（P沟道(dao)场效应(ying)晶体管(guan)用红表笔(bi)触发，N沟道(dao)场效应(ying)管(guan)用黑表笔(bi)触发）的(de)方法来(lai)判断场应(ying)管(guan)是(shi)否(fou)损坏。若触发有(you)效（触发栅极(ji)(ji)G后，D、S极(ji)(ji)之间的(de)正(zheng)、反向电阻均变(bian)为0），则可确定该管(guan)性能良好。

三

1 、用10K档,内有15伏电池.可提供(gong)导通电压.

2 、因(yin)为栅极等效于电容,与任何(he)脚不通,不论N管或(huo)P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.

3 、利用表笔对栅(zha)源间正向(xiang)或反(fan)向(xiang)充电(dian),可使漏(lou)源通(tong)或断,且由(you)于栅(zha)极上电(dian)荷能保持,上述两步(bu)可分(fen)先后,不必同步(bu),方便.但要(yao)放电(dian)时需(xu)短路管脚(jiao)或反(fan)充.

4 、大都源(yuan)漏间有反并二极管,应注(zhu)意,及帮助(zhu)判断(duan).

5、 大都封庄为字(zi)面对自已时(shi),左栅(zha)中漏右(you)源.

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