MOS管(guan)分类及区别-结型MOS管(guan)和(he)绝缘栅(zha)型MOS管(guan)详(xiang)解及区别-KIA MOS管(guan)
信(xin)息(xi)来源：本站 日期：2018-07-23
MOSFET管(guan)是(shi)FET的(de)一种(zhong)（另一种(zhong)是(shi)JFET），可以被制构成(cheng)增强型或(huo)耗尽(jin)型，P沟道或(huo)N沟道共4种(zhong)类(lei)型，但理(li)论应(ying)用的(de)只需增强型的(de)N沟道MOS管(guan)和(he)增强型的(de)P沟道MOS管(guan)，所以通常提到NMOS，或(huo)者PMOS指的(de)就是(shi)这两种(zhong)。场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)分为(wei)结型场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)（JFET）和(he)绝缘栅(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)（MOS管(guan)）两大类(lei)。
1：结(jie)(jie)型(xing)(xing)(xing)场效应管(guan)的(de)(de)分类(lei)：结(jie)(jie)型(xing)(xing)(xing)场效应管(guan)有两(liang)种结(jie)(jie)构(gou)形式，它(ta)们(men)是N沟道结(jie)(jie)型(xing)(xing)(xing)场效应管(guan)和(he)P沟道结(jie)(jie)型(xing)(xing)(xing)场效应管(guan)。结(jie)(jie)型(xing)(xing)(xing)场效应管(guan)也具(ju)有三个电(dian)极，它(ta)们(men)是：栅极；漏极；源极。电(dian)路符(fu)号中栅极的(de)(de)箭头方向(xiang)可理解为两(liang)个PN结(jie)(jie)的(de)(de)正(zheng)向(xiang)导(dao)电(dian)方向(xiang)。
2：结(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应管的(de)(de)工作(zuo)原理(以N沟(gou)道(dao)(dao)结(jie)型(xing)场(chang)效(xiao)应管为例)，N沟(gou)道(dao)(dao)结(jie)构(gou)(gou)型(xing)场(chang)效(xiao)应管的(de)(de)结(jie)构(gou)(gou)及符号，由于(yu)PN结(jie)中的(de)(de)载流(liu)(liu)子(zi)已经耗(hao)尽(jin)，故PN基本上是(shi)不导(dao)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)，形成了所(suo)谓耗(hao)尽(jin)区，当漏(lou)极电(dian)(dian)(dian)源电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)ED一(yi)定时，如果(guo)栅(zha)极电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)越(yue)(yue)负，PN结(jie)交界面所(suo)形成的(de)(de)耗(hao)尽(jin)区就(jiu)越(yue)(yue)厚(hou)，则(ze)漏(lou)、源极之间导(dao)电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)沟(gou)道(dao)(dao)越(yue)(yue)窄，漏(lou)极电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)ID就(jiu)愈(yu)小；反之，如果(guo)栅(zha)极电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)没(mei)有(you)那么负，则(ze)沟(gou)道(dao)(dao)变宽，ID变大，所(suo)以用栅(zha)极电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)EG可(ke)以控(kong)制漏(lou)极电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)ID的(de)(de)变化，就(jiu)是(shi)说，场(chang)效(xiao)应管是(shi)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)控(kong)制元件。
对于耗尽型的JFET，在平衡时(不加电压)时，沟道电阻最小；电压Vds和Vgs都可改变栅p-n结势垒的宽度，并因此改变沟道的长度和厚度（栅极电压使沟道厚度均匀变化，源漏电压使沟道厚度不均匀变化），使沟道电阻变化，从而导致Ids变化，以实现对输入信号的放大。当Vds较低时，JFET的沟道呈现为电阻特性，是所谓电阻工作区，这时漏极电流基本上随着电压Vds的增大而线性上升，但漏极电流随着栅极电压Vgs的增大而平方式增大；进一步增大Vds时，沟道即首先在漏极一端被夹断，则漏极电流达到最大而饱和（饱和电流搜大小决定于没有被夹断的沟道的电阻），这就是JFET的饱和放大区，这时JFET呈现为一个恒流源。JFET的放大作用可用所谓跨导gm = δIds / δVgsS ](Vds =常数) 来表示，要求跨导越大越好。
FET的特点(dian)是：
①是(shi)电压控制器件(jian)，则(ze)不需要(yao)大(da)的(de)信号功(gong)率(lv)。
②是(shi)多(duo)数(shu)载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)导电(dian)(dian)的(de)器件(jian)，是(shi)所(suo)谓单(dan)极晶体(ti)管，则(ze)无少子(zi)存储与扩(kuo)散(san)问(wen)题(ti)，速度(du)高，噪(zao)音系数(shu)低；而(er)且漏极电(dian)(dian)流(liu)(liu)Ids的(de)温(wen)度(du)关系决定于载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)迁移率(lv)的(de)温(wen)度(du)关系，则(ze)电(dian)(dian)流(liu)(liu)具有(you)负的(de)温(wen)度(du)系数(shu)，器件(jian)具有(you)自我保护的(de)功能。
③输入(ru)端是反(fan)偏(pian)的p-n结(jie), 则(ze)输入(ru)阻抗大(da), 便于匹配。
④输出(chu)阻抗也很大(da), 呈现为恒流源，这与BJT大(da)致(zhi)相同(tong)。
⑤JFET一(yi)般(ban)(ban)是(shi)耗(hao)(hao)尽型(xing)的(de)，但(dan)若采用(yong)高(gao)阻衬底(di), 也(ye)可得到增强(qiang)型(xing)JFET(增强(qiang)型(xing)JFET在高(gao)速、低功耗(hao)(hao)电(dian)路(lu)中很(hen)有(you)应用(yong)价值)；但(dan)是(shi)一(yi)般(ban)(ban)只有(you)短沟(gou)道的(de)JFET才是(shi)能很(hen)好工(gong)作的(de)增强(qiang)型(xing)器件。实(shi)际上，静(jing)电(dian)感(gan)应晶体管也(ye)就是(shi)一(yi)种短沟(gou)道的(de)JFET。⑥沟(gou)道是(shi)处(chu)在半导体内部，则沟(gou)道中的(de)载(zai)流子(zi)不受半导体表面(mian)的(de)影响(xiang)，因此迁移率较高(gao)、噪声较低。
1：绝缘栅(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)）的分类：绝缘栅(zha)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)也有两(liang)种结构形式，它(ta)们是N沟道(dao)型(xing)和P沟道(dao)型(xing)。无(wu)论(lun)是什么沟道(dao)，它(ta)们又分为增(zeng)强型(xing)和耗尽型(xing)两(liang)种。
2：它是由金属、氧化物和半导(dao)体所(suo)组成(cheng)，所(suo)以(yi)又称为金属—氧化物—半导(dao)体场效(xiao)应(ying)管(guan)，简称MOS场效(xiao)应(ying)管(guan)。
3：绝(jue)缘栅(zha)型场效应(ying)(ying)(ying)管(guan)的(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)原理(以N沟道(dao)增强型MOS场效应(ying)(ying)(ying)管(guan))它是(shi)利用UGS来控制(zhi)“感应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)荷(he)(he)(he)”的(de)(de)(de)多少，以改(gai)变由这些“感应(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)荷(he)(he)(he)”形成(cheng)的(de)(de)(de)导电(dian)(dian)沟道(dao)的(de)(de)(de)状况，然后达到控制(zhi)漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。在制(zhi)造管(guan)子时(shi)，通(tong)过工(gong)艺使(shi)(shi)绝(jue)缘层中出现(xian)大(da)量正离子，故(gu)在交界面(mian)的(de)(de)(de)另(ling)一(yi)侧(ce)能感应(ying)(ying)(ying)出较(jiao)多的(de)(de)(de)负电(dian)(dian)荷(he)(he)(he)，这些负电(dian)(dian)荷(he)(he)(he)把高渗杂质(zhi)的(de)(de)(de)N区接通(tong)，形成(cheng)了导电(dian)(dian)沟道(dao)，即使(shi)(shi)在VGS=0时(shi)也(ye)有较(jiao)大(da)的(de)(de)(de)漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)ID。当栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)(dian)压改(gai)变时(shi)，沟道(dao)内(nei)被感应(ying)(ying)(ying)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)荷(he)(he)(he)量也(ye)改(gai)变，导电(dian)(dian)沟道(dao)的(de)(de)(de)宽窄也(ye)随(sui)之而变，因而漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)ID随(sui)着栅(zha)极(ji)(ji)电(dian)(dian)压的(de)(de)(de)变化而变化。
场效应管的工作方(fang)式有(you)(you)两种：当(dang)栅压(ya)为零(ling)时(shi)有(you)(you)较大漏(lou)极(ji)电(dian)流的称为耗散型；当(dang)栅压(ya)为零(ling)，漏(lou)极(ji)电(dian)流也为零(ling)，必须再加一定(ding)的栅压(ya)之后才有(you)(you)漏(lou)极(ji)电(dian)流的称为增(zeng)强型。
(1)从包装上辨别(bie)，由于(yu)绝(jue)缘栅(zha)型场(chang)效应管(guan)的栅(zha)极易(yi)被击穿损坏，所(suo)以管(guan)脚之(zhi)间一般都是(shi)短路的或是(shi)用金属箔(bo)包裹的；而结型场(chang)效应管(guan)在包装上无特别(bie)要求。
(2)用(yong)指针(zhen)式(shi)万(wan)用(yong)表的电(dian)阻(zu)档测量，用(yong)万(wan)用(yong)表的“R谴k”档或(huo)“R?00”档测G、S管(guan)(guan)(guan)脚间的阻(zu)值(zhi)，若正、反向电(dian)阻(zu)都很(hen)大近乎不导通，则此管(guan)(guan)(guan)为(wei)(wei)绝缘栅型管(guan)(guan)(guan)；若电(dian)阻(zu)值(zhi)呈PN结的正、反向阻(zu)值(zhi)，此管(guan)(guan)(guan)为(wei)(wei)结型管(guan)(guan)(guan)。
(3)用万用表电(dian)阻档(dang)判别结型场效(xiao)应管(guan)管(guan)脚(jiao)一般用R?k或R?00档(dang)进(jin)行(xing)测(ce)量(liang)，测(ce)量(liang)时(shi)，任选(xuan)两(liang)管(guan)脚(jiao)，测(ce)正、反向电(dian)阻，阻值都相同(均为几千欧)时(shi)，该两(liang)极分别为D、S极(在使用时(shi)，这两(liang)极可互换)，余下的(de)一极为由(you)于绝缘栅型场效(xiao)应管(guan)在测(ce)量(liang)时(shi)易损坏(huai)，所以(yi)不使用此方(fang)法(fa)进(jin)行(xing)管(guan)脚(jiao)识(shi)别，一般以(yi)查手(shou)册为宜(yi)。
（1）用测电阻法判(pan)断(duan)结(jie)型场效应管的电极
根据场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)的(de)PN结正、反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)不(bu)一样的(de)现象，可(ke)(ke)(ke)以(yi)判别(bie)出(chu)结型场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)的(de)三个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。详(xiang)细(xi)办法：将万(wan)用表(biao)(biao)拨在R?k档(dang)上，任选(xuan)两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，分别(bie)测出(chu)其(qi)(qi)(qi)正、反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当某两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)正、反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)相(xiang)等，且(qie)为几千欧姆(mu)时(shi)，则该两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)是(shi)(shi)(shi)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。因为对(dui)结型场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)而言，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可(ke)(ke)(ke)互(hu)换，剩下(xia)的(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)确定(ding)是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ。也(ye)可(ke)(ke)(ke)以(yi)将万(wan)用表(biao)(biao)的(de)黑(hei)(hei)(hei)表(biao)(biao)笔（红(hong)表(biao)(biao)笔也(ye)行）任意接触(chu)一个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，另一只(zhi)表(biao)(biao)笔顺次(ci)去(qu)接触(chu)其(qi)(qi)(qi)余(yu)的(de)两(liang)(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，测其(qi)(qi)(qi)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当涌现两(liang)(liang)次(ci)测得的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)近似相(xiang)等时(shi)，则黑(hei)(hei)(hei)表(biao)(biao)笔所接触(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，其(qi)(qi)(qi)余(yu)两(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)为漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若两(liang)(liang)次(ci)测出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均很(hen)大，说明(ming)是(shi)(shi)(shi)ＰＮ结的(de)反(fan)向(xiang)，即(ji)都是(shi)(shi)(shi)反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)判定(ding)是(shi)(shi)(shi)Ｎ沟道场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)，且(qie)黑(hei)(hei)(hei)表(biao)(biao)笔接的(de)是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)；若两(liang)(liang)次(ci)测出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均很(hen)小，说明(ming)是(shi)(shi)(shi)正向(xiang)ＰＮ结，等于正向(xiang)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，判断为Ｐ沟道场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)，黑(hei)(hei)(hei)表(biao)(biao)笔接的(de)也(ye)是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若不(bu)呈现上述(shu)情形，可(ke)(ke)(ke)以(yi)调换黑(hei)(hei)(hei)、红(hong)表(biao)(biao)笔按上述(shu)方法进行测试，直到判别(bie)出(chu)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为止(zhi)。
（2）用测电(dian)阻(zu)法判别场效应管的好坏(huai)
测(ce)(ce)(ce)(ce)电(dian)阻(zu)(zu)法是(shi)(shi)(shi)用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)测(ce)(ce)(ce)(ce)量场效应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ1与(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ2之(zhi)间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值同场效应(ying)管(guan)(guan)手(shou)(shou)册表(biao)(biao)明(ming)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值是(shi)(shi)(shi)否(fou)相符去判别(bie)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)好(hao)坏。详细方式：首先(xian)将万用(yong)表(biao)(biao)置于Ｒ?１０或(huo)Ｒ?00档(dang)，测(ce)(ce)(ce)(ce)量源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)Ｓ与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)Ｄ之(zhi)间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)，通常在几(ji)十欧到几(ji)千欧范畴（在手(shou)(shou)册中(zhong)可知，各种不(bu)(bu)同型号的(de)(de)(de)管(guan)(guan)，其电(dian)阻(zu)(zu)值是(shi)(shi)(shi)各不(bu)(bu)雷同的(de)(de)(de)），如果测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)值大于正常值，可能是(shi)(shi)(shi)因为(wei)(wei)内部接触不(bu)(bu)良；假如测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)值是(shi)(shi)(shi)无穷大，可能是(shi)(shi)(shi)内部断(duan)极(ji)(ji)。然后(hou)把万用(yong)表(biao)(biao)置于Ｒ?１０ｋ档(dang)，再测(ce)(ce)(ce)(ce)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ1与(yu)Ｇ2之(zhi)间、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)之(zhi)间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值，当(dang)测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)其各项电(dian)阻(zu)(zu)值均为(wei)(wei)无穷大，则解释(shi)管(guan)(guan)是(shi)(shi)(shi)畸形的(de)(de)(de)；若测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)上述各阻(zu)(zu)值太小或(huo)为(wei)(wei)通路，则说明(ming)管(guan)(guan)是(shi)(shi)(shi)坏的(de)(de)(de)。要留神，若两个(ge)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)在管(guan)(guan)内断(duan)极(ji)(ji)，可用(yong)元件代(dai)换法进行(xing)检测(ce)(ce)(ce)(ce)。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的(de)放(fang)大能力
具体方(fang)法：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表(biao)(biao)(biao)电(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)R?00档，红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)接源(yuan)极(ji)Ｓ，黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)接漏极(ji)Ｄ，给(ji)场效应(ying)(ying)管加(jia)上(shang)1.5Ｖ的(de)(de)电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压，此(ci)时(shi)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)指(zhi)示出的(de)(de)漏源(yuan)极(ji)间的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)值。然(ran)后用(yong)(yong)手捏住结型场效应(ying)(ying)管的(de)(de)栅极(ji)Ｇ，将人体的(de)(de)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)压信(xin)号加(jia)到(dao)栅极(ji)上(shang)。这样，由于管的(de)(de)放大(da)(da)作用(yong)(yong)，漏源(yuan)电(dian)(dian)压VDS和漏极(ji)电(dian)(dian)流Iｂ都要发生(sheng)变(bian)化，也就是漏源(yuan)极(ji)间电(dian)(dian)阻(zu)发生(sheng)了变(bian)化，由此(ci)可以观(guan)察到(dao)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)有较(jiao)大(da)(da)幅度的(de)(de)摆(bai)动。如果手捏栅极(ji)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较(jiao)小，说(shuo)明管的(de)(de)放大(da)(da)能(neng)力较(jiao)差；表(biao)(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较(jiao)大(da)(da)，表(biao)(biao)(biao)明管的(de)(de)放大(da)(da)能(neng)力大(da)(da)；若表(biao)(biao)(biao)针(zhen)不动，说(shuo)明管是坏的(de)(de)。
根据上述(shu)方法(fa)，我(wo)们用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)的(de)R?00档，测(ce)结型(xing)场效(xiao)应管3DJ2F。先将管的(de)Ｇ极开路，测(ce)得漏源(yuan)电(dian)阻RDS为(wei)600Ω，用(yong)手捏住Ｇ极后，表(biao)(biao)针向左摆(bai)动(dong)，指示的(de)电(dian)阻RDS为(wei)12kΩ，表(biao)(biao)针摆(bai)动(dong)的(de)幅度(du)较大(da)，说(shuo)明(ming)该管是好的(de)，并有较大(da)的(de)放大(da)能力。
应用(yong)这(zhei)(zhei)种方(fang)法时要说(shuo)明(ming)(ming)几点(dian)：首先(xian)，在测(ce)试场(chang)效(xiao)应管(guan)用(yong)手捏住栅(zha)极(ji)(ji)时，万用(yong)表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)向(xiang)右摆(bai)动（电(dian)(dian)阻值(zhi)减小），也可(ke)能(neng)向(xiang)左(zuo)摆(bai)动（电(dian)(dian)阻值(zhi)增(zeng)长）。这(zhei)(zhei)是由于人(ren)体(ti)感(gan)应的交(jiao)流电(dian)(dian)压(ya)较(jiao)高(gao)，而(er)不同的场(chang)效(xiao)应管(guan)用(yong)电(dian)(dian)阻档测(ce)量时的工(gong)作点(dian)可(ke)能(neng)不同（或(huo)者工(gong)作在饱和区或(huo)者在不饱和区）所致，实验表(biao)(biao)明(ming)(ming)，多(duo)数管(guan)的RDS增(zeng)大(da)，即表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)向(xiang)左(zuo)摆(bai)动；少(shao)数管(guan)的RDS减小，使表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)向(xiang)右摆(bai)动。但(dan)无论表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摆(bai)动方(fang)向(xiang)如何(he)，只要表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摆(bai)动幅度较(jiao)大(da)，就说(shuo)明(ming)(ming)管(guan)有较(jiao)大(da)的放大(da)能(neng)力。第二，此方(fang)法对MOS场(chang)效(xiao)应管(guan)也实用(yong)。但(dan)要注意(yi)，MOS场(chang)效(xiao)应管(guan)的输(shu)人(ren)电(dian)(dian)阻高(gao)，栅(zha)极(ji)(ji)Ｇ容(rong)许的感(gan)应电(dian)(dian)压(ya)不应过高(gao)，所以不要直接用(yong)手去(qu)捏栅(zha)极(ji)(ji)，必须(xu)用(yong)于握螺(luo)丝刀的绝缘柄，用(yong)金属杆去(qu)碰触栅(zha)极(ji)(ji)，以防止人(ren)体(ti)感(gan)应电(dian)(dian)荷(he)直接加到栅(zha)极(ji)(ji)，引起(qi)栅(zha)极(ji)(ji)击穿。第三，每次测(ce)量结束，应当G-S极(ji)(ji)间短(duan)路(lu)一下。这(zhei)(zhei)是因为G-S结电(dian)(dian)容(rong)上会充有少(shao)量电(dian)(dian)荷(he)，树(shu)立(li)起(qi)ＶGＳ电(dian)(dian)压(ya)，造(zao)成再进行测(ce)量时表(biao)(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)不动，只有将G-S极(ji)(ji)间电(dian)(dian)荷(he)短(duan)路(lu)放掉才行。
（4）用测电(dian)阻法判别无标记的场效应管(guan)
首先用(yong)(yong)测(ce)(ce)量电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)的(de)方(fang)法找出(chu)两(liang)(liang)个(ge)有电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)的(de)管脚(jiao)，也(ye)(ye)就是源(yuan)极Ｓ和漏(lou)(lou)极Ｄ，余下两(liang)(liang)个(ge)脚(jiao)为(wei)第(di)一(yi)(yi)栅极G1和第(di)二栅极G2。把先用(yong)(yong)两(liang)(liang)表笔测(ce)(ce)的(de)源(yuan)极Ｓ与漏(lou)(lou)极Ｄ之间(jian)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)记(ji)下来，对调表笔再(zai)测(ce)(ce)量一(yi)(yi)次(ci)，把其(qi)测(ce)(ce)得电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)记(ji)下来，两(liang)(liang)次(ci)测(ce)(ce)得阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)较大的(de)一(yi)(yi)次(ci)，黑表笔所(suo)接的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极为(wei)漏(lou)(lou)极Ｄ；红表笔所(suo)接的(de)为(wei)源(yuan)极Ｓ。用(yong)(yong)这(zhei)种(zhong)方(fang)法判别(bie)出(chu)来的(de)Ｓ、Ｄ极，还可以用(yong)(yong)估测(ce)(ce)其(qi)管的(de)放大能(neng)力的(de)方(fang)法进(jin)行验证，即放大能(neng)力大的(de)黑表笔所(suo)接的(de)是Ｄ极；红表笔所(suo)接地是８极，两(liang)(liang)种(zhong)方(fang)法检测(ce)(ce)结果(guo)均应(ying)一(yi)(yi)样(yang)。当确定了漏(lou)(lou)极Ｄ、源(yuan)极Ｓ的(de)位置后，按Ｄ、Ｓ的(de)对应(ying)位置装人(ren)电(dian)(dian)(dian)(dian)路，一(yi)(yi)般G1、G2也(ye)(ye)会依次(ci)对准位置，这(zhei)就确定了两(liang)(liang)个(ge)栅极G1、G2的(de)位置，从而(er)就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚(jiao)的(de)顺(shun)序(xu)。
（5）用测反向(xiang)电阻(zu)值的(de)变(bian)化(hua)判断跨(kua)导的(de)大小
对ＶＭＯＳ?Ｎ沟道加强型(xing)场效(xiao)应(ying)管测(ce)量跨导(dao)性(xing)能时(shi)(shi)，可用(yong)红(hong)表(biao)笔接(jie)源极(ji)(ji)Ｓ、黑表(biao)笔接(jie)漏(lou)极(ji)(ji)Ｄ，这就(jiu)相当于在(zai)源、漏(lou)极(ji)(ji)之间加了一个反(fan)向(xiang)电(dian)压。此(ci)时(shi)(shi)栅极(ji)(ji)是开路的(de)(de)(de)(de)(de)，管的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电(dian)阻值(zhi)(zhi)是很(hen)不稳定的(de)(de)(de)(de)(de)。将万用(yong)表(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)欧姆档选(xuan)在(zai)R?0kΩ的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)阻档，此(ci)时(shi)(shi)表(biao)内电(dian)压较高(gao)。当用(yong)手(shou)接(jie)触栅极(ji)(ji)Ｇ时(shi)(shi)，会(hui)发现管的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)电(dian)阻值(zhi)(zhi)有明显地(di)变(bian)(bian)化，其变(bian)(bian)化越大，说明管的(de)(de)(de)(de)(de)跨导(dao)值(zhi)(zhi)越高(gao)；如果被(bei)测(ce)管的(de)(de)(de)(de)(de)跨导(dao)很(hen)小，用(yong)此(ci)法测(ce)时(shi)(shi)，反(fan)向(xiang)阻值(zhi)(zhi)变(bian)(bian)化不大。
（1）为了安全使用处(chu)效应(ying)管，在线路的设计(ji)中不能(neng)超(chao)过管的耗散功率，最(zui)大漏源电(dian)压、最(zui)大栅(zha)源电(dian)压和最(zui)大电(dian)流等(deng)参数(shu)的极限值。
（2）各类型场效(xiao)应管(guan)在使(shi)用时，都要(yao)严(yan)厉(li)按要(yao)求的偏置接人(ren)电路中，要(yao)遵照场效(xiao)应管(guan)偏置的极性。如结型场效(xiao)应管(guan)栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管(guan)栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管(guan)栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应(ying)管(guan)由于输人阻(zu)抗极(ji)高(gao)，所以(yi)在运输、储(chu)藏中必(bi)须(xu)将引出脚短(duan)路，要用金属屏蔽包装(zhuang)，以(yi)防止(zhi)外来感应(ying)电势(shi)将栅极(ji)击穿。尤其要注意(yi)，不能(neng)将MOS场效应(ying)管(guan)放人塑料(liao)盒(he)子内，保留时最(zui)好放在金属盒(he)内，同时也要注意(yi)管(guan)的防潮。
（4）为了预防(fang)场(chang)效应管(guan)(guan)栅极(ji)感应击穿，请求所有测(ce)试仪器、工(gong)作(zuo)台、电烙铁、线路自身都(dou)必(bi)须(xu)有良好的接(jie)(jie)地；管(guan)(guan)脚在(zai)焊(han)(han)(han)接(jie)(jie)时(shi)，先焊(han)(han)(han)源极(ji)；在(zai)连入电路之前，管(guan)(guan)的全体(ti)引线端保(bao)(bao)持相互短接(jie)(jie)状况(kuang)，焊(han)(han)(han)接(jie)(jie)完后才把短接(jie)(jie)材料去掉；从元器件架上(shang)取下管(guan)(guan)时(shi)，应以(yi)(yi)恰当(dang)(dang)的方(fang)法确(que)保(bao)(bao)人体(ti)接(jie)(jie)地如采取接(jie)(jie)地环等(deng)；当(dang)(dang)然，如果能采用(yong)(yong)进步(bu)的气热型(xing)电烙铁，焊(han)(han)(han)接(jie)(jie)场(chang)效应管(guan)(guan)是比拟方(fang)便的，并且确(que)保(bao)(bao)平安；在(zai)未(wei)关(guan)断电源时(shi)，相对不(bu)可以(yi)(yi)把管(guan)(guan)插人电路或从电路中拔出(chu)。以(yi)(yi)上(shang)保(bao)(bao)险(xian)办法在(zai)应用(yong)(yong)场(chang)效应管(guan)(guan)时(shi)必(bi)需注意(yi)。
（5）在装(zhuang)置(zhi)场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)时(shi)，注意安(an)装(zhuang)的(de)(de)位置(zhi)要(yao)尽(jin)量防(fang)止凑近发烧元件(jian)；为了防(fang)管(guan)(guan)件(jian)振动，有必(bi)要(yao)将管(guan)(guan)壳体紧固起来；管(guan)(guan)脚(jiao)引(yin)线在曲折(zhe)时(shi)，应(ying)(ying)该大(da)(da)于(yu)根(gen)部尺寸５毫(hao)米处进行(xing)，以避免弯断(duan)管(guan)(guan)脚(jiao)和引(yin)起漏气等。??对于(yu)功率(lv)型场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)，要(yao)有良(liang)好的(de)(de)散热条件(jian)。因为功率(lv)型场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)在高(gao)负荷前提下运用(yong)(yong)，必(bi)须设计足(zu)够的(de)(de)散热器，确保壳体温度不超(chao)过额(e)定值(zhi)，使(shi)(shi)器件(jian)长(zhang)期稳定牢(lao)靠地(di)工作。总(zong)之，确保场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)安(an)全使(shi)(shi)用(yong)(yong)，要(yao)注意的(de)(de)事项是多(duo)种(zhong)多(duo)样，采取的(de)(de)安(an)全措施(shi)也是各种(zhong)各样，广大(da)(da)的(de)(de)专业(ye)技巧职(zhi)员，特(te)殊(shu)是宽大(da)(da)的(de)(de)电(dian)子喜(xi)好者，都要(yao)根(gen)据本人的(de)(de)实际(ji)情况动身，采用(yong)(yong)切实可行(xing)的(de)(de)措施(shi)，安(an)全有效地(di)用(yong)(yong)好场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)。
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