场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管可(ke)使(shi)用(yong)于缩(suo)小(xiao).因(yin)为场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管缩(suo)小(xiao)器的(de)(de)输出(chu)阻抗很高(gao),因(yin)而啮(nie)合库(ku)(ku)容(rong)能(neng)(neng)够定量(liang)...场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管可(ke)使(shi)用(yong)于缩(suo)小(xiao).因(yin)为场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管缩(suo)小(xiao)器的(de)(de)输出(chu)阻抗很高(gao),因(yin)而啮(nie)合库(ku)(ku)容(rong)能(neng)(neng)够定量(liang)较(jiao)小(xiao),无须运(yun)用(yong)电解电料皿.即非金属-氧化物(wu)-半超(chao)导体(ti)型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管，英文缩(suo)写(xie)为MOSFET(...
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暨第五届(jie)深(shen)(shen)圳(zhen)(zhen)国(guo)际嵌入式(shi)系(xi)统展,即(ji)将在8月24-26日(ri)深(shen)(shen)圳(zhen)(zhen)会(hui)展中(zhong)心2/3/4号(hao)馆(guan)举(ju)行，展...暨第五届(jie)深(shen)(shen)圳(zhen)(zhen)国(guo)际嵌入式(shi)系(xi)统展,即(ji)将在8月24-26日(ri)深(shen)(shen)圳(zhen)(zhen)会(hui)展中(zhong)心2/3/4号(hao)馆(guan)举(ju)行，展号(hao)位(wei)：2C36
Si MOSFET管因(yin)为(wei)其输(shu)入(ru)阻(zu)抗高(gao)，随着其反(fan)(fan)向耐压的提(ti)高(gao)，通态(tai)电阻(zu)也急剧(ju)上升(sheng)，从(cong)...Si MOSFET管因(yin)为(wei)其输(shu)入(ru)阻(zu)抗高(gao)，随着其反(fan)(fan)向耐压的提(ti)高(gao)，通态(tai)电阻(zu)也急剧(ju)上升(sheng)，从(cong)而(er)限制了其在高(gao)压场合(he)的应用。SiC作为(wei)一种宽禁代半(ban)导体器(qi)件，具有饱和电子漂移速(su)度高(gao)...
由(you)工业(ye)和信息(xi)化部(bu)、深圳市(shi)人民政府共(gong)同主办的(de)第四届中(zhong)(zhong)国(guo)电(dian)子(zi)信息(xi)博览会(hui)（CITE ...由(you)工业(ye)和信息(xi)化部(bu)、深圳市(shi)人民政府共(gong)同主办的(de)第四届中(zhong)(zhong)国(guo)电(dian)子(zi)信息(xi)博览会(hui)（CITE 2016）于4月8日在深圳会(hui)展中(zhong)(zhong)心(xin)开幕。 秉承(cheng)着“创新(xin)、智能、融合”的(de)主...
KIA SEMICONDUCTOR KIA半导体(ti)将参加第87届中国（深圳）电子(zi)展，诚(cheng)邀(yao)莅(li)(li)临...KIA SEMICONDUCTOR KIA半导体(ti)将参加第87届中国（深圳）电子(zi)展，诚(cheng)邀(yao)莅(li)(li)临。 日(ri)期：2016年4月8-10日(ri) 展位：9C01 地点(dian)：深圳市福田(tian)中心区福...
