在某(mou)些应用(yong)(yong)中(zhong)(zhong),如电(dian)(dian)池充(chong)(chong)电(dian)(dian)电(dian)(dian)路中(zhong)(zhong), B点是(shi)充(chong)(chong)电(dian)(dian)器接(jie)口, C点是(shi)电(dian)(dian)池接(jie)口，为了防(fang)止充(chong)(chong)...在某(mou)些应用(yong)(yong)中(zhong)(zhong),如电(dian)(dian)池充(chong)(chong)电(dian)(dian)电(dian)(dian)路中(zhong)(zhong), B点是(shi)充(chong)(chong)电(dian)(dian)器接(jie)口, C点是(shi)电(dian)(dian)池接(jie)口，为了防(fang)止充(chong)(chong)电(dian)(dian)器拔掉时,电(dian)(dian)池电(dian)(dian)压出(chu)现在充(chong)(chong)电(dian)(dian)接(jie)口。 (Q1、Q2、Q3共同组(zu)成防(fang)倒灌(guan)电(dian)(dian)路)注(zhu)意Q3的(de)DS反...
主(zhu)要(yao)保(bao)护GS极(ji)(ji)(ji)，限制Vgs间的(de)最(zui)大电(dian)(dian)(dian)压。 (其(qi)一(yi))保(bao)护DS极(ji)(ji)(ji)，其(qi)二(er)(er))起到回流二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管作...主(zhu)要(yao)保(bao)护GS极(ji)(ji)(ji)，限制Vgs间的(de)最(zui)大电(dian)(dian)(dian)压。 (其(qi)一(yi))保(bao)护DS极(ji)(ji)(ji)，其(qi)二(er)(er))起到回流二(er)(er)极(ji)(ji)(ji)管作用，其(qi)三)为(wei)过电(dian)(dian)(dian)流或电(dian)(dian)(dian)感提供反(fan)向通路，其(qi)四)防止d、s极(ji)(ji)(ji)反(fan)向连接，其(qi)五)隔离。
1、左(zuo)边电路(lu)负载是接(jie)(jie)在S极(ji)对地，如果(guo)R1很(hen)小(xiao)且(qie)Q1-G极(ji)一(yi)直为High，那么流过(guo)Q1的电...1、左(zuo)边电路(lu)负载是接(jie)(jie)在S极(ji)对地，如果(guo)R1很(hen)小(xiao)且(qie)Q1-G极(ji)一(yi)直为High，那么流过(guo)Q1的电流可能将会(hui)非常大，MOS管容易烧；
20A 500V场效应(ying)管(guan) KNX7150A-产品特征 1、专有(you)新平(ping)面技术(shu) 2、RDS(ON),typ.=0....20A 500V场效应(ying)管(guan) KNX7150A-产品特征 1、专有(you)新平(ping)面技术(shu) 2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V 3、低(di)栅极(ji)电荷最(zui)小化开关(guan)损耗(hao) 4、快恢复(fu)体二(er)极(ji)管(guan)
从输出特性曲线(xian)可(ke)以(yi)看(kan)(kan)出，只(zhi)要(yao)Vgs大于(yu)截止电压4.5V，DS就可(ke)以(yi)导通(tong)(tong)了。测试(shi)时直...从输出特性曲线(xian)可(ke)以(yi)看(kan)(kan)出，只(zhi)要(yao)Vgs大于(yu)截止电压4.5V，DS就可(ke)以(yi)导通(tong)(tong)了。测试(shi)时直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，负(fu)载(zai)电流(liu)最大可(ke)达到50A。为了方(fang)便单片(pian)机控(kong)制(zhi)Vgs，可(ke)加一个...
自举(ju)电路 作用：在(zai)高(gao)端(duan)和(he)(he)低端(duan)MOS管中提到过(guo)，由于(yu)(yu)负载（电机）相对(dui)于(yu)(yu)高(gao)端(duan)和(he)(he)低...自举(ju)电路 作用：在(zai)高(gao)端(duan)和(he)(he)低端(duan)MOS管中提到过(guo)，由于(yu)(yu)负载（电机）相对(dui)于(yu)(yu)高(gao)端(duan)和(he)(he)低端(duan)的(de)位置不(bu)同(tong)，而(er)MOS的(de)开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高(gao)端(duan)MOS导通，则其(qi)栅(zha)极对(dui)地...
