如(ru)果(guo)MOS的Drink极(ji)电压为(wei)(wei)(wei)12V，Source极(ji)电压原为(wei)(wei)(wei)0V，Gate极(ji)驱(qu)动(dong)电压也为(wei)(wei)(wei)12V，那么...如(ru)果(guo)MOS的Drink极(ji)电压为(wei)(wei)(wei)12V，Source极(ji)电压原为(wei)(wei)(wei)0V，Gate极(ji)驱(qu)动(dong)电压也为(wei)(wei)(wei)12V，那么当MOS在导通(tong)瞬间，Soure极(ji)电压会升高为(wei)(wei)(wei)Drink减(jian)压减(jian)去(qu)一个很小的导通(tong)压降，那么Vgs电...
CMOS逻辑电(dian)(dian)路，分(fen)(fen)(fen)两部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)，上(shang)(shang)(shang)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)，下(xia)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)。上(shang)(shang)(shang)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)由(you)PMOS管(guan)电(dian)(dian)路构(gou)成，下(xia)拉(la)(la)(la)...CMOS逻辑电(dian)(dian)路，分(fen)(fen)(fen)两部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)，上(shang)(shang)(shang)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)，下(xia)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)。上(shang)(shang)(shang)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)由(you)PMOS管(guan)电(dian)(dian)路构(gou)成，下(xia)拉(la)(la)(la)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)由(you)NMOS管(guan)电(dian)(dian)路组成，如下(xia)。上(shang)(shang)(shang)下(xia)拉(la)(la)(la)，形成互补。
由(you)于MOS管截(jie)(jie)止(zhi)时漏(lou)(lou)极和源(yuan)极之间的(de)(de)(de)(de)内(nei)阻Ror非(fei)常大,所以(yi)截(jie)(jie)止(zhi)状(zhuang)态(tai)(tai)下的(de)(de)(de)(de)等效电路可(ke)以(yi)...由(you)于MOS管截(jie)(jie)止(zhi)时漏(lou)(lou)极和源(yuan)极之间的(de)(de)(de)(de)内(nei)阻Ror非(fei)常大,所以(yi)截(jie)(jie)止(zhi)状(zhuang)态(tai)(tai)下的(de)(de)(de)(de)等效电路可(ke)以(yi)用断开的(de)(de)(de)(de)开关代替,如图a所示(shi)。MOS管导通状(zhuang)态(tai)(tai)下的(de)(de)(de)(de)内(nei)阻RoN约(yue)在1kΩ以(yi)内(nei),而且(qie)与(yu)VGs的(de)(de)(de)(de)数...
NMOS管的主(zhu)回(hui)路(lu)电(dian)(dian)(dian)流(liu)方(fang)(fang)向(xiang)为D极(ji)到(dao)S极(ji)，导通(tong)条(tiao)件(jian)为VGS有一定(ding)的压(ya)差，即VG-VS>VTH；...NMOS管的主(zhu)回(hui)路(lu)电(dian)(dian)(dian)流(liu)方(fang)(fang)向(xiang)为D极(ji)到(dao)S极(ji)，导通(tong)条(tiao)件(jian)为VGS有一定(ding)的压(ya)差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主(zhu)回(hui)路(lu)电(dian)(dian)(dian)流(liu)方(fang)(fang)向(xiang)为S极(ji)到(dao)G极(ji)，导通(tong)条(tiao)件(jian)为VSG有一定(ding)的压(ya)差，即VS-VG>VTH。故一...
当(dang)5V没接(jie)入(ru)时(shi)，PMOS管(guan)的(de)(de)栅(zha)极(ji)通(tong)过电阻R1下(xia)拉到地（0V），锂电池(chi)BAT（3.7~4.2V）...当(dang)5V没接(jie)入(ru)时(shi)，PMOS管(guan)的(de)(de)栅(zha)极(ji)通(tong)过电阻R1下(xia)拉到地（0V），锂电池(chi)BAT（3.7~4.2V）通(tong)过MOS管(guan)的(de)(de)内部体二极(ji)管(guan)到达源极(ji)，源极(ji)电压(ya)为（3~3.5）V，此时(shi)Ugs为（-3.5）V到（-...
1、VSSS耐压(ya) 按(an)下(xia)图连接(jie)测(ce)试(shi)电(dian)路，设置VGS=0V，VSS1从(cong)0V以0.1V步(bu)增，逐渐增加...1、VSSS耐压(ya) 按(an)下(xia)图连接(jie)测(ce)试(shi)电(dian)路，设置VGS=0V，VSS1从(cong)0V以0.1V步(bu)增，逐渐增加电(dian)压(ya)至IS=1mA,且MOS无损毁，记(ji)录VSS1的电(dian)压(ya)。
