MOSFET管(guan)是FET的(de)(de)一(yi)种(zhong)(zhong)（另(ling)一(yi)种(zhong)(zhong)是JFET），可以被制造成增强型或耗(hao)尽(jin)型，P沟(gou)道或N...MOSFET管(guan)是FET的(de)(de)一(yi)种(zhong)(zhong)（另(ling)一(yi)种(zhong)(zhong)是JFET），可以被制造成增强型或耗(hao)尽(jin)型，P沟(gou)道或N沟(gou)道共4种(zhong)(zhong)类(lei)型，但(dan)实际应用(yong)的(de)(de)只有增强型的(de)(de)N沟(gou)道MOS管(guan)型号和增强型的(de)(de)P沟(gou)道MOS管(guan)型号，...
KIA半导(dao)体(ti)专(zhuan)业研发(fa)生(sheng)(sheng)产MOS管场效应管厂(chang)家KIA半导(dao)体(ti)专(zhuan)业研发(fa)生(sheng)(sheng)产MOS管场效应管厂(chang)家
如何(he)取舍好(hao)MOS管(guan) 第一步是(shi)(shi)决议采纳N沟道还是(shi)(shi)P沟道MOS管(guan)。正在垂范的(de)功...如何(he)取舍好(hao)MOS管(guan) 第一步是(shi)(shi)决议采纳N沟道还是(shi)(shi)P沟道MOS管(guan)。正在垂范的(de)功率(lv)使用中，当一度(du)MOS管(guan)接(jie)地，而负载联(lian)接(jie)到支线电压上时(shi)，该MOS管(guan)就构 成了高压侧电...
场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)引(yin)见篇(pian) 场(chang)效(xiao)应结晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)（Field Effect Transistor缩(suo)写（FET））职称...场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)引(yin)见篇(pian) 场(chang)效(xiao)应结晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)（Field Effect Transistor缩(suo)写（FET））职称场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)。由少数载流子参加导热(re)，也称为多极型(xing)结晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)。它(ta)归于电压掌(zhang)握(wo)型(xing)半超导体(ti)...
当按(an)下(xia)其中一(yi)个键（用力按(an)下(xia)S1，轻(qing)轻(qing)按(an)下(xia)S2）时，IC2d的输(shu)出会(hui)改(gai)(gai)变(bian)状态(tai)，从而使(shi)(shi)...当按(an)下(xia)其中一(yi)个键（用力按(an)下(xia)S1，轻(qing)轻(qing)按(an)下(xia)S2）时，IC2d的输(shu)出会(hui)改(gai)(gai)变(bian)状态(tai)，从而使(shi)(shi)时钟发生器和IC1（通过IC2b）使(shi)(shi)能(neng)。然后，电容C1通过R1和R2充电，直(zhi)到(dao)IC2a的输(shu)入电...
KIA6N70H场效应管(guan)漏(lou)源击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)700V、漏(lou)极(ji)电(dian)流5.8A，RDS(on)typ为(wei)1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场效应管(guan)漏(lou)源击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)700V、漏(lou)极(ji)电(dian)流5.8A，RDS(on)typ为(wei)1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电(dian)荷（典(dian)型16NC）、高耐用性、快速切换和(he)雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力...
