Cadence仿真：MOS管(guan)参数名称解析(xi)-KIA MOS管(guan)
信息来源(yuan)：本站(zhan) 日期(qi)：2022-10-09
Cadence仿(fang)真中，MOS管的参数很多，有(you)些参(can)数(shu)可以直接添加到计(ji)算器中，进行数(shu)据的计(ji)算。
type：MOS管类型，可(ke)能(neng)值为 n 或(huo) p。
region：MOS管的工作(zuo)区(qu)(qu)域，可能值为 0~4，分别对应(ying)：0： 关断；1： 线性区(qu)(qu)；2： 饱和区(qu)(qu)；3： 亚(ya)阈(yu)值区(qu)(qu)；4： 击穿
reversed：MOS管(guan)是(shi)否反向(xiang)，可能值为 yes 或 no。
ids (A)： 阻性漏源(yuan)电流
lx4 (A)： ids 的别名，当(dang) MOS管反(fan)向时(shi)有相(xiang)反(fan)的符号(hao)。
lx50 (A)：衬(chen)源电流。
vgs / lx2 (V)：栅(zha)源电压。
vds / lx3 (V)：漏(lou)源电(dian)压。
vbs / lx1 (V)：衬源(yuan)电压(ya)。
vth (V)：有效(xiao)阈(yu)值(zhi)电压。
lv9 (V)：vth 的别名。
vdsat (V)：漏源饱和电(dian)压(ya)。
lv26 (V)：平(ping)带(dai)电压（Flat-band voltage）。
lv10 (V)：vdsat 的别名。
gm / lx7 (S)：共源跨导。
gds / lx8 (S)：共源输出跨(kua)导。
gmbs / lx9 (S)：衬底跨(kua)导(dao)。
betaeff (A/V2)：有效(xiao) β 值。
cjd / lx29 (F)：漏(lou)区衬底结电(dian)容。
cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容(rong)。
lx12 (Coul)：衬(chen)底(di)电荷（Qb）
lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）
lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）
lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。
lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。
cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
cgb (F)：dQg_dVb
cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
cds / lx34 (F)：dQd_dVs
cdb (F)：dQd_dVb
csg (F)：dQs_dVg
csd (F)：dQs_dVd
css (F)：dQs_dVs
csb (F)：dQs_dVb
cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
cbb (F)：dQb_dVb
ron()：导通电阻。
id / i1 (A)：漏端电(dian)流。
is / i3 (A)：源端电流(liu)。
ibulk / i4 (A)：衬底电流。
lx5 (A)：源(yuan)端(duan) PN 结电流。
lx6 (A)：漏端 PN 结电流。
pwr (W)：处于工作点(dian)时的功耗。
gmoverid (1/V)：Gm/Ids
lv36 (F)：栅源交叠电容(rong)。
lv37 (F)：栅漏交叠电容。
lv38 (F)：栅(zha)衬底交(jiao)叠(die)电容。
lx10 (S)：漏区二极管跨导。
lx11 (S)：源区二极(ji)管跨导。
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