KIA超高压MOSFET 1000-1500V，填补国内空白-KIA MOS管

放(fang)眼半(ban)导(dao)体市场，现阶(jie)段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进(jin)口(kou)品(pin)牌(pai)垄(long)断(duan)，且存(cun)在(zai)价格高，交(jiao)付周期长(zhang)等弊端。对(dui)此利盈娱(yu)乐半(ban)导(dao)体（KIA）针对(dui)1000V超高压MOS产(chan)品(pin)进(jin)行了(le)大量的技(ji)术革新(xin)，通过多年的产(chan)品(pin)技(ji)术积(ji)累，开发(fa)出耐(nai)压更高，导(dao)通内阻更低的超高压MOS管，填补了(le)国内空白，打破了(le)进(jin)口(kou)品(pin)牌(pai)垄(long)断(duan)的局(ju)面，也降(jiang)低了(le)客户对(dui)国外(wai)产(chan)品(pin)的依(yi)存(cun)度。

超高耐(nai)压(ya)的器(qi)件主要(yao)应用场(chang)景为工业三相智能电(dian)(dian)表、LED照(zhao)明(ming)驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)源、充(chong)电(dian)(dian)桩，光伏(fu)逆(ni)变(bian)器(qi)等(deng)辅(fu)助电(dian)(dian)源。

国内专注研(yan)发优质MOS管厂家KIA半导体生产的超高压MOSFET--KNX41100A可代换型号：东芝2SK1119， 艾赛斯IXFP4N100。

KIA超高压MOSFET-KNX41100A产品资料

超高压MOSFET-KNX41100A漏源击(ji)穿电(dian)压高达1000V，漏极电(dian)流(liu)最(zui)大值为(wei)2A，适(shi)用于适(shi)配器、充电(dian)器、SMPS备用电(dian)源等。

KNX41100A的(de)开启(qi)延迟典(dian)型值为8nS，关断延迟时间典(dian)型值为36nS，上升(sheng)时间6nS，下降(jiang)时间15nS，反向传输电容(rong)4pF，反向恢复时间320nS，正向电压的(de)典(dian)型值1.5V。

KNX41100A的导通阻抗典型值为(wei)9.6Ω。最(zui)大功耗为(wei)60W，最(zui)大结温(wen)为(wei)150℃。此产品(pin)的储存温(wen)度在-55到150℃，适用于(yu)大部(bu)分(fen)环境。

产(chan)品特点：

符合RoHS标准

RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关损(sun)耗(hao)最(zui)小化

快速恢(hui)复(fu)体二(er)极(ji)管

图(tu)：KNX41100A引脚配置

图(tu)：KNX41100A规格书

KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴；主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。

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