12N65场效应管 12N65参数(shu)代换(huan)650V12A 12N65引脚(jiao)-KIA MOS管
信息来(lai)源：本站 日期(qi)：2022-08-12
KIA12N65H N沟道增强型硅栅功(gong)率(lv)MOSFET设计用(yong)于高(gao)功(gong)率(lv)应用(yong)，诸如(ru)高(gao)效率(lv)开(kai)关(guan)(guan)模式电源(yuan)的(de)高(gao)速(su)功(gong)率(lv)开(kai)关(guan)(guan)应用(yong)，有源(yuan)功(gong)率(lv)因(yin)数校正，基于半桥拓(tuo)扑(pu)的(de)电子灯镇流器(qi)。
KIA半导(dao)体是一家(jia)致力于(yu)功率(lv)半导体电(dian)子元器件研(yan)发与(yu)销售的高新(xin)(xin)技(ji)术型企业，竭诚服务全球开关电(dian)源、绿色(se)照明、电(dian)机驱动(dong)、汽车电(dian)子、新(xin)(xin)能源充电(dian)桩、太阳能设备、数码家(jia)电(dian)、安防工程等行业长期合作伙伴，主动(dong)了(le)解客(ke)户(hu)需求，不断研(yan)发创新(xin)(xin)，为客(ke)户(hu)提(ti)供绿色(se)、节(jie)能、高效的功率(lv)半导体产品(pin)。
RDS(on)= 0.63Ω @ VGS= 10 V
低(di)栅极电荷（典型的52nc）
快速开关能(neng)力
雪(xue)崩能量
改进dt／dt能力
联系方(fang)式：邹先(xian)生(sheng)
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址(zhi)：深圳市福田区车(che)公庙天安(an)数码(ma)城(cheng)天吉大(da)厦CD座(zuo)5C1
请搜微信(xin)公(gong)众号(hao):“KIA半(ban)导(dao)体”或扫(sao)一(yi)扫(sao)下图“关注”官方微信(xin)公(gong)众号(hao)
请“关注”官方微信公众(zhong)号(hao):提供(gong) MOS管 技术帮助
