5N60场效应管(guan)参数代换 5N60引脚图 5N60E参数4.5A600V-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日期：2022-08-05
这(zhei)些(xie)N沟道增强模式的(de)功率场效应晶体管是(shi)用(yong)KIA半导体制造的(de)专(zhuan)有(you)、平面(mian)、DMOS技术(shu)。这项先进的技术(shu)经(jing)过了特别的调整(zheng)，以使其(qi)最(zui)小化通态电(dian)阻，提供(gong)优越的开(kai)关性能，并承受高能量脉冲在(zai)雪崩和换向模(mo)式(shi)。这些器件非常适合(he)于高效率的开(kai)关模(mo)式(shi)电源供应和电子(zi)灯镇流器的(de)基础上的(de)半桥(qiao)。
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反馈电容（典(dian)型(xing)值8.0pf）
低栅极电荷(he)（典型值高(gao)= 16nc）
快速(su)切换
100%雪崩(beng)测试
改进的dt／dt能力(li)
符合RoHS
产品编号：KIA 5N60
系列名称：MOSFET
沟(gou)道：N沟(gou)道
耗散功率(lv)（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连(lian)续）（id）：5
最(zui)高结温（Tj），℃：150
上升时间（tr）：42
输出电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装(zhuang)形式：TO-220、TO-220F等
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
联系方式：邹先生
联(lian)系(xi)电(dian)话：0755-83888366-8022
手(shou)机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳市福田区(qu)车(che)公庙天安数(shu)码城天吉(ji)大厦CD座5C1
请搜微(wei)信公众(zhong)号:“KIA半导体”或(huo)扫一扫下(xia)图“关注”官方微(wei)信公众(zhong)号
请“关注”官方微信公众(zhong)号:提供 MOS管 技术(shu)帮(bang)助
免(mian)责(ze)声明：本网站(zhan)部分(fen)文章或图(tu)片(pian)来源其它出处，如有(you)侵权，请联(lian)系(xi)删(shan)除。
