MOS管的压降问题实例分析-KIA MOS管

测试(shi)开(kai)关mos后电(dian)压(ya)下(xia)降了1V多，锂电(dian)池4.2V的电(dian)压(ya)算是很低的一个(ge)电(dian)压(ya)，并且是拿这个(ge)mos导通之后的电(dian)压(ya)作(zuo)为电(dian)压(ya)比较器的输入电(dian)压(ya)，当(dang)然(ran)参考(kao)电(dian)压(ya)是升压(ya)再稳压(ya)之后，可以不考(kao)虑它的变化，按理来(lai)说(shuo)，mos都是m欧级的内阻(zu)，压(ya)降应(ying)该不大(da)才对，为什么会有(you)这么大(da)压(ya)降呢？

电路如下图所示：

MOS管压降

查(cha)看手册可(ke)知在Vgs=2.5V时(shi)，导通(tong)时(shi)，最(zui)大电流Id=2.8A，mos的阻值为(wei)110m欧。如(ru)下图所示(shi)：2,8A*0.11=0.3V左右的压降。

实际的(de)应(ying)用(yong)时(shi)，D极是直接(jie)拉到了地，所以0V,接(jie)近(jin)4.5V,压降为(wei)2.8*0.090=0.25V,此时(shi)的(de)Id也达到了最大值2.8A.

MOS管压降

1点几伏的压降(jiang)(jiang)，显然是不(bu)对的。看后面有个(ge)振荡电(dian)(dian)路，应(ying)该是消耗了(le)大量的电(dian)(dian)流，才(cai)造成电(dian)(dian)压下降(jiang)(jiang)的这么厉害。

总结一下(xia)：

在(zai)栅(zha)极施加(jia)不(bu)同的电压(ya)，源-漏(lou)极之间就(jiu)会有电阻的变化。同时，如(ru)果要使MOS管(guan)作在(zai)开关状态，就(jiu)要对(dui)栅(zha)极施加(jia)足够的电压(ya)，它(ta)才能(neng)充(chong)分起到开关作用。

扩(kuo)展：mos的其他特性：

场效应管分为(wei)增强(qiang)型（常(chang)开(kai)型）和耗(hao)尽型（常(chang)闭型），增强(qiang)型的(de)管子是需要加(jia)电压才能导(dao)通的(de)，而耗(hao)尽型管子本来就处于导(dao)通状态，加(jia)栅源电压是为(wei)了使其截止(zhi)。

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