MOS高压侧自举升压电路分享-KIA MOS管

MOS高压(ya)(ya)侧(ce)自举升压(ya)(ya)电路

如果不添加自(zi)举电路，

举例如(ru)下：

如果(guo)MOS的Drink极(ji)(ji)电压(ya)(ya)为12V，Source极(ji)(ji)电压(ya)(ya)原(yuan)为0V，Gate极(ji)(ji)驱动(dong)电压(ya)(ya)也(ye)为12V，那么(me)当MOS在(zai)(zai)导(dao)通(tong)瞬(shun)间，Soure极(ji)(ji)电压(ya)(ya)会升(sheng)高(gao)为Drink减压(ya)(ya)减去(qu)一个很小的导(dao)通(tong)压(ya)(ya)降，那么(me)Vgs电压(ya)(ya)会接近于0V，MOS在(zai)(zai)导(dao)通(tong)瞬(shun)间后(hou)又(you)会关断，再(zai)导(dao)通(tong)，再(zai)关断。

如此下去(qu)，长时(shi)间(jian)在(zai)(zai)MOS的Drink极与Source间(jian)通过的是(shi)一个N倍(bei)于(yu)工作频率的高频脉(mai)冲(chong)，这样(yang)的脉(mai)冲(chong)尖峰在(zai)(zai)MOS上会产生过大的电压应力(li)，很快MOS管(guan)会被损坏。

如果在(zai)MOS的Gate与(yu)Source间接入(ru)一个小电(dian)(dian)容，在(zai)MOS未导(dao)通(tong)(tong)时给(ji)电(dian)(dian)容充电(dian)(dian)，在(zai)MOS导(dao)通(tong)(tong)，Source电(dian)(dian)压(ya)升(sheng)(sheng)高(gao)后，自动将(jiang)Gate极(ji)电(dian)(dian)压(ya)升(sheng)(sheng)高(gao)，便可(ke)使MOS保持(chi)继续导(dao)通(tong)(tong)。

图(tu)中自举升(sheng)压电路(lu)解析（电荷(he)泵工作原理）：

1、上电时：电源(yuan)+11V流过D1、D2向C3充电，C3上的电压很(hen)快升至(zhi)接近(jin)11V；

2、如(ru)果Q6导通，C1负极被拉低，C1形成充电回路，会很(hen)快C1充电至11V;

3、当PWM波形翻转，Q6截止(zhi)，Q3导通，C1负极(ji)电(dian)(dian)位被抬高到接近电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)11V，水涨(zhang)船(chuan)高，此时(shi)C1正极(ji)电(dian)(dian)位已超(chao)过(guo)电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)，并高于(yu)C3端(duan)电(dian)(dian)压(ya)。因(yin)为D1的存在(zai)，该电(dian)(dian)压(ya)不会向电(dian)(dian)源倒流；

4、此时开始先C3充电(dian)，C3上的端电(dian)压被充至接近2倍电(dian)源电(dian)压22V；

5、只(zhi)要(yao)Q3、Q6一直轮流导通和(he)截止，C1就会不断向C3充电(dian)(dian)，使C3端电(dian)(dian)压一直保持(chi)22V的电(dian)(dian)压。

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