MOS管(guan)构成二极(ji)管(guan)/MOS管(guan)二极(ji)管(guan)接法-KIA MOS管(guan)
信息(xi)来源：本(ben)站 日期：2022-07-11
各自的作用：
主(zhu)要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作用，其三)为过电流或电感提供(gong)反向通路，其四)防(fang)止d、s极反向连接，其五(wu))隔离(li)。
各自的应用：防止反接
1)正(zheng)接时，体(ti)二(er)极管开始(shi)导通，“3”位置电(dian)压(ya)为(wei)0.6V左右，“1”位置电(dian)压(ya)为(wei)Vcc、Vgs阈(yu)值(zhi)电(dian)压(ya)、Q1导通，体(ti)二(er)极管短路(lu)。 在反向(xiang)连接的(de)情况(kuang)下，Q1为(wei)反向(xiang)偏置，Vgs=0，电(dian)路(lu)不通。
2)正接(jie)时(shi)，体(ti)二极管导(dao)通，“2”位(wei)置电压19.4V，“4”位(wei)置电压0、Q2导(dao)通，然后体(ti)二极管短(duan)路(lu)。 逆接(jie)时(shi)电路(lu)不通。
注意(yi)：增强型NMOS在施加栅极电压时会形成电场，电流方(fang)向为d、s，是任意(yi)的。 这里(li)与普通的电子开关连接方(fang)法(fa)不同，体二(er)极管在电子开关中主(zhu)要起到关断的作用。 d、s在这两种应用中连接方(fang)法(fa)正(zheng)好相反。
隔离作用：
控(kong)制信号来自电(dian)源适(shi)配器(qi)，插(cha)入(ru)适(shi)配器(qi)后Q2截止(zhi)，负载由适(shi)配器(qi)提供； 断开适(shi)配器(qi)后，栅极电(dian)压变为0，Q2导通。 此时，由电(dian)池(chi)供电(dian)。
另(ling)外，在高速(su)开关(guan)的情(qing)况下(xia)，由(you)于体二极管的速(su)度过慢(man)，损耗大，所以通常在管外并联连接(jie)高速(su)恢复或肖(xiao)特基二极管。
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