NMOS作开(kai)关的接(jie)法及(ji)NMOS接(jie)法差异分析(xi)-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-07-11
1、左边电(dian)路负载(zai)是接在S极对(dui)地，如果(guo)R1很小且Q1-G极一直为High，那(nei)么流(liu)过Q1的电(dian)流(liu)可能将会(hui)非常大，MOS管容(rong)易(yi)烧；
2、R1*I=Us，VGS=Vg-Vs，此时VGS不(bu)一定会大于Vgs(th)，MOS会不(bu)完(wan)全(quan)导通。
3、对于右边电路，Q2-S极直接(jie)(jie)接(jie)(jie)地，只要VGS大(da)于Vgs(th)的电，MOS管就会(hui)导(dao)通，DS两端(duan)bai基本上是没有压差（Rdson很小）。
开(kai)关电(dian)源电(dian)路：
按(an)照(zhao)上图3.3V的时候差不(bu)多(duo)可以通(tong)过20A以上电流了，但实际(ji)测试 PA5_HP高电平不(bu)导通(tong)。
分析G端电压参考为S端，S为12，G端3.3当然(ran)不会(hui)导通(tong)，所以修改(gai)电路(lu)为：
PA5_HP高(gao)后(hou)，导通。听(ting)老师傅说过：三极管，NPN的负载接(jie)C端(duan)，PNP的接(jie)E端(duan)；NMOS ，PMOS也一样的道理吧！
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