NMOS开关电路测试图文分享-KIA MOS管

以(yi)NMOS为(wei)(wei)例(li)，测试NMOS作为(wei)(wei)开关(guan)的(de)电路设计。试验用(yong)的(de)NOMS为(wei)(wei)RU75N08，其输出特性曲线(xian)为(wei)(wei)：

NMOS 电路测试

从输出特性曲线可以看出，只要(yao)Vgs大于截止电压4.5V，DS就可以导通(tong)了。测(ce)试时直接使(shi)Vgs=+12V，Vds=+48V，负载电流(liu)最(zui)大可达到50A。

为了方便单片机控制Vgs，可加(jia)一个三极管进(jin)行电压控制，加(jia)一个光耦进(jin)行电气(qi)隔(ge)离，通过单片机IO口电平高低(di)来控制NOMS的通断(duan)。

测试电(dian)路(lu)如下：

NMOS 电路测试

IN接(jie)单片机(ji)IO口，IN为高电平(ping)时，发光(guang)(guang)二极体(ti)通(tong)过电流(liu)而发光(guang)(guang)，光(guang)(guang)敏元件受到光(guang)(guang)照后产生电流(liu)，光(guang)(guang)耦的NPN导通(tong)，PNP三极管(guan)Vb拉低，PNP导通(tong)，Vgs > 4.5V，NMOS导通(tong)，负(fu)载(zai)工作；

IN为(wei)低电压时，光(guang)耦不工(gong)作(zuo)，PNP三极(ji)管(guan)Ve=Vb，PNP截止(zhi)，Vgs = 0V，NMOS截止(zhi)，负载不工(gong)作(zuo)。

可以通过控制(zhi)IN实现NMOS开关作用。

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